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带货【图文导读】图1硒氧化铋单晶的基本表征(A)由氧化铋和硒层交替堆叠形成体心四方结构的硒氧化铋晶体(B)ⅰ.光学照片显示了硒氧化铋的层状结构和发亮的开裂表面。课题组主要利用角分辨光电子能谱研究新型材料（拓扑量子材料、决战佳琦非常规超导体、低维量子材料等）的电子结构探索工作。

彭海琳教授、播0避刘开辉研究员、陈宇林教授、袁洪涛教授的合影课题组介绍：彭海琳，北京大学博雅特聘教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者。开李在国际及双边重要学术会议上做邀请报告40余次。2011年入选教育部新世纪优秀人才支持计划，直播1主2012年获批国家首批优秀青年基金，直播1主2012年入选中组部万人计划首批青年拔尖人才，2014年任国家973计划青年科学家项目首席科学家，2015年获国家杰出青年科学基金，并荣获2017年国家自然科学二等奖、第二十届茅以升北京青年科技奖、2017年Small青年科学家创新奖、2017年MRSSingaporeICON-2DMATYoungScientistAward等奖励。

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ⅳ.进一步放大的图像显示了硒空位和硒原子(C)扫描隧道谱（STS）显示出邻近和远离阶梯边缘区域的带隙宽度均约为0.8eV(D)STS图谱展示了带隙宽度的统一性图3硒氧化铋的完整能带结构(A)ky-kz平面的费米面绘制(B)由导带形成的电子口袋的细节部分(C)能带色散图没有观测到边缘态或者表面态的存在(D)能带结构的详细三维图像解析图4硒氧化铋的表面图形及其对能带结构的影响(A)大面积原子级分辨STM拓扑图像显示了开裂样品表面的周期性结构(B)开裂表面图形的蒙特卡洛模拟和快速傅里叶变换（FFT）(C)表面铋、播0避硒原子的STS实验测量和计算结果【小结】这项工作通过实验观测发现新型超高迁移率层状硒氧化铋半导体材料的带隙具备优异的空间一致性，播0避即便材料存在表面缺陷（约50%的硒空位）的条件下，带隙依然表现出强大的稳健性能。

此外，开李通过改变材料的厚度还能调控带隙宽度。生气时，直播1主就会弓着腰，浑身的毛都竖起来，那个模样太吓人了吧。

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